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参数资料
| 型号： | CPH6350-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 3A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6350
--3.0
ID -- VDS
--9
VDS= --10 V
ID -- VGS
--8
--2.5
--7
--2.0
--6
--5
--1.5
--4
--1.0
VGS= --2.5V
--3
--2
--0.5
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
200
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14855
100
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14856
180
Ta=25 ° C
90
1.5
.0V
= --
5
--1.
5V,
4
= --
= --3
0V, I D
160
140
120
100
80
60
40
20
ID= --1.5 A
--3.0A
80
70
60
50
40
30
20
4 A
V GS I D=
V GS .0A
VGS
= --
, ID
.
= --10.
A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID
IT14857
V DS= --10V
2
--10
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14858
VGS=0V
a=
5 ° C
° C
3
2
1.0
7
T
--2
75
25
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
5
3
2
3
2
--0.01
7
5
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7
3
2
--0.001
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT14859
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14860
f=1MHz
5
tf
1000
3
2
10
tr
7
5
3
2
Ciss
7
5
td(on)
VDD= --15V
100
7
Coss
C rs s
3
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
VGS= --10V
7 --10
2
5
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT14861
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT14862
No. A1529-3/6
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PDF描述 |
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