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参数资料
| 型号： | CPH6350-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 3A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6350
op
10
1m μ s
10
10
s
0m
a i t
a=
25
° C
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
VDS= --10V
ID= --6A
VGS -- Qg
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
ASO
IDP= --24A (PW≤10μs)
ID= --6A
DC
er
Operation in this
area is limited by RDS(on).
on
s
(T
m
s
)
0
--1
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
--0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
5 7
2.0
1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14863
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT14864
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14865
No. A1529-4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6354-TL-H | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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