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参数资料
| 型号： | CY7C1387DV25-225BZI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 2/32页 |
| 文件大小： | 501K |
| 代理商： | CY7C1387DV25-225BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1386DV25
CY7C1387DV25
Document #: 38-05548 Rev. **
Page 10 of 32
READ Cycle, Continue Burst
Next
X
L
H
L
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Continue Burst
Next
X
L
H
L
H
L-H
Tri-State
READ Cycle, Continue Burst
Next
H
X
L
X
H
L
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Continue Burst
Next
H
X
L
X
H
L
H
L-H
Tri-State
WRITE Cycle, Continue Burst
Next
X
L
H
L
X
L-H
D
WRITE Cycle, Continue Burst
Next
H
X
L
X
H
L
X
L-H
D
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
L
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
L
H
L-H
Tri-State
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
L
X
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
L
X
H
L-H
Tri-State
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
X
L
H
L
X
L-H
D
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
L
X
H
L
X
L-H
D
Partial Truth Table for Read/Write[5, 9]
Function (CY7C1386DV25)
GW
BWE
BWD
BWC
BWB
BWA
Read
H
XXXX
Read
H
L
HHHH
Write Byte A – (DQA and DQPA)
H
L
HHH
L
Write Byte B – (DQB and DQPB)H
L
H
L
H
Write Bytes B, A
H
L
H
L
Write Byte C – (DQC and DQPC)
H
LH
H
Write Bytes C, A
H
L
H
L
H
L
Write Bytes C, B
H
L
H
L
H
Write Bytes C, B, A
H
L
H
L
Write Byte D – (DQD and DQPD)
H
L
HHH
Write Bytes D, A
H
L
H
L
Write Bytes D, B
H
L
H
L
H
Write Bytes D, B, A
H
L
H
L
Write Bytes D, C
H
L
H
Write Bytes D, C, A
H
L
H
L
Write Bytes D, C, B
H
LLLL
H
Write All Bytes
H
LLLLL
Write All Bytes
L
XXXXX
Truth Table for Read/Write[5, 9]
Function (CY7C1387DV25)
GW
BWE
BWB
BWA
Read
H
X
Read
H
L
H
Write Byte A – (DQA and DQPA)H
L
H
L
Write Byte B – (DQB and DQPB)H
L
H
Write All Bytes
H
L
Write All Bytes
L
X
Truth Table[ 3, 4, 5, 6, 7, 8] (continued)
Operation
Add. Used CE1 CE2 CE3 ZZ ADSP ADSC ADV WRITE OE CLK
DQ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1387DV25-225BZC | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C138AV | Memory |
| CY7C025-15JC | x16 Dual-Port SRAM |
| CY7C0251AV-20AC | x18 Dual-Port SRAM |
| CY7C0251AV-25AC | x18 Dual-Port SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C138XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C139-25JC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C139-25JXC | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| CY7C1392CV18-200BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1392CV18-250BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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