参数资料
型号: CY7C1387DV25-225BZI
厂商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封装: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件页数: 6/32页
文件大小: 501K
代理商: CY7C1387DV25-225BZI
PRELIMINARY
CY7C1386DV25
CY7C1387DV25
Document #: 38-05548 Rev. **
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TAP AC Switching Characteristics Over the operating Range[10, 11]
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
Clock
TCK Clock Cycle Time
tTCYC
50
ns
TCK Clock Frequency
tTF
20
MHz
TCK Clock HIGH time
tTH
25
ns
TCK Clock LOW time
tTL
25
ns
Output Times
TCK Clock LOW to TDO Valid
tTDOV
5ns
TCK Clock LOW to TDO Invalid
tTDOX
0ns
Set-up Times
TMS Set-up to TCK Clock Rise
tTMSS
5ns
TDI Set-up to TCK Clock Rise
tTDIS
5ns
Capture Set-up to TCK Rise
tCS
5
Hold Times
TMS hold after TCK Clock Rise
tTMSH
5ns
TDI Hold after Clock Rise
tTDIH
5ns
Capture Hold after Clock Rise
tCH
5ns
Notes:
10. tCS and tCH refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
11. Test conditions are specified using the load in TAP AC test Conditions. tR/tF = 1 ns.
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