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参数资料
| 型号： | CY7C1387DV25-225BZI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 9/32页 |
| 文件大小： | 501K |
| 代理商： | CY7C1387DV25-225BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1386DV25
CY7C1387DV25
Document #: 38-05548 Rev. **
Page 17 of 32
119-Ball BGA Boundary Scan Order
CY7C1366C (256K x 36)
CY7C1367C (512K x 18)
BIT#
BALL
ID
BIT#
BALL ID
BIT#
BALL ID
BIT#
BALL ID
1
H4
44
E4
1
H4
44
E4
2T4
45
G4
2
T4
45
G4
3T5
46
A4
3
T5
46
A4
4T6
47
G3
4
T6
47
G3
5
R5
48
C3
5
R5
48
C3
6
L5
49
B2
6
L5
49
B2
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50
B3
7
R6
50
B3
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51
A3
8
U6
51
A3
9
R7
52
C2
9
R7
52
C2
10
T7
53
A2
10
T7
53
A2
11
P6
54
B1
11
P6
54
B1
12
N7
55
C1
12
N7
55
C1
13
M6
56
D2
13
M6
56
D2
14
L7
57
E1
14
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57
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K6
58
F2
15
K6
58
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16
P7
59
G1
16
P7
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17
N6
60
H2
17
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60
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18
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61
D1
18
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61
D1
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K7
62
E2
19
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20
J5
63
G2
20
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63
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21
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64
H1
21
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65
J3
22
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65
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23
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66
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67
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67
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68
M2
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69
N1
26
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69
N1
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G6
70
P1
27
G6
70
P1
28
E6
71
K1
28
E6
71
K1
29
D6
72
L2
29
D6
72
L2
30
C7
73
N2
30
C7
73
N2
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B7
74
P2
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B7
74
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75
R3
32
C6
75
R3
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A6
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T1
33
A6
76
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C5
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37
B6
80
R2
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D4
81
T3
38
D4
81
T3
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B4
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L4
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40
F4
83
N4
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84
P4
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P4
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A5
85
Internal
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A5
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Internal
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1387DV25-225BZC | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C138AV | Memory |
| CY7C025-15JC | x16 Dual-Port SRAM |
| CY7C0251AV-20AC | x18 Dual-Port SRAM |
| CY7C0251AV-25AC | x18 Dual-Port SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C138XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C139-25JC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C139-25JXC | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
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| CY7C1392CV18-250BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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