参数资料
型号: CY7C1387DV25-225BZI
厂商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封装: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件页数: 7/32页
文件大小: 501K
代理商: CY7C1387DV25-225BZI
PRELIMINARY
CY7C1386DV25
CY7C1387DV25
Document #: 38-05548 Rev. **
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TAP AC Test Conditions
Input pulse levels ................................................ VSS to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels .........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage ....... ........1.25VTAP AC
Output Load Equivalent
Note:
12. All voltages referenced to VSS (GND).
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
O
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; VDD = 2.5V ±0.165V unless otherwise noted)[12]
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = –1.0 mA
1.7
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = –100 A
2.1
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 1.0 mA
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 A
0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
1.7
VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.3
0.7
V
IX
Input Load Current
GND < VIN < VDDQ
–5
5
A
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PDF描述
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