- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMC3028LSD-13 (Diodes Inc)MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMC3028LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 472pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMC3028LSD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC3028LSD
R DS(ON)
10 Limited
R DS(ON)
10 Limited
1
DC
1s
1
DC
1s
100m
100ms
10ms
100m
100ms
10ms
10m
Notes 2 & 5
Single Pulse, T amb =25°C
1ms
100us
10m
Notes 2 & 5
Single Pulse, T amb =25°C
1ms
100us
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
N-channel Safe Operating Area
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
2.0
100
80
1.5
Two active die
60
D=0.5
1.0
One active die
40
20
0
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
0.5
0.0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
25
50
75
100
125
150
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Single Pulse
Temperature (°C)
Derating Curve
100
10
1
T amb =25°C
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
DMC3028LSD
Document Revision: 4
3 of 11
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMC3035LSD-13 | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC |
| DMC4028SSD-13 | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SOIC |
| DMC4040SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8 |
| DMC4050SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
| DMG1012T-7 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC3028LSDX-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A |
| DMC3032LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3032LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3035LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3035LSD-13 | 功能描述:MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。