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参数资料
| 型号： | DMC3028LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 472pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMC3028LSD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC3028LSD
Q1 N-Channel continued
700
10
600
500
V GS = 0V
f = 1MHz
9
8
7
I D = 6A
400
300
C OSS
C ISS
6
5
4
200
100
C RSS
3
2
1
V DS = 15V
0
1 10
V DS - Drain - Source Voltage (V)
0
0
1
2
3 4 5 6 7
Q - Charge (nC)
8
9
10 11
Capacitance v Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits – Q1 N-Channel
Current
Q G
regulator
12V
5 0k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
DMC3028LSD
Document Revision: 4
6 of 11
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMC3035LSD-13 | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC |
| DMC4028SSD-13 | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SOIC |
| DMC4040SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8 |
| DMC4050SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
| DMG1012T-7 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC3028LSDX-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A |
| DMC3032LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3032LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3035LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3035LSD-13 | 功能描述:MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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