参数资料
型号: DMC3028LSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N+P 30V 5.5A SO8
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.5A,5.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 472pF @ 15V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMC3028LSD-13DIDKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC3028LSD
Q1 N-Channel
10
10V
5V
4.5V
4V
10
T = 150°C
10V
4.5V
4V
3.5V
3.5V
3V
1
0.1
T = 25°C
3V
2.5V
V GS
1
0.1
2.5V
2V
V GS
0.01
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
1.6
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
V DS = 10V
1.4
V GS = 10V
I D = 6A
R DS(on)
1
T = 150°C
1.2
1.0
0.1
T = 25°C
0.8
0.6
0.4
V GS = V DS
I D = 250uA
V GS(th)
2 3
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
1000
2.5V
T = 25°C
V GS
4
-50 0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
10
150
100
3V
1
T = 150°C
10
3.5V
4V
0.1
T = 25°C
1
0.1
4.5V
0.01
0.01
0.01 0.1 1 10
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
10V
Vgs = -3V
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
DMC3028LSD
Document Revision: 4
5 of 11
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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