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参数资料
| 型号： | DMC3028LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 472pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMC3028LSD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC3028LSD
Electrical Characteristics – Q2 P-Channel
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-30
?
?
?
?
?
?
-0.5
±100
V
μ A
nA
I D = -250 μ A, V GS = 0V
V DS = -30V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 8)
Forward Transconductance (Notes 8 & 9)
Diode Forward Voltage (Note 8)
Reverse recovery time (Note 9)
Reverse recovery charge (Note 9)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
-1.0
?
?
?
?
?
?
18.6
-0.80
16.2
10
-3.0
0.025
0.041
?
-1.2
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = -250 μ A, V DS = V GS
V GS = -10V, I D = -7.1A
V GS = -4.5V, I D = -5.5A
V DS = -15V, I D = -7.1A
I S = -1.7A, V GS = 0V
I S = -2.2A, di/dt= 100A/ μ s
DYNAMIC CHARACTERISTICS ( Note 9 )
Input Capacitance
C iss
?
1678
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time (Note 10)
Turn-On Rise Time (Note 10)
Turn-Off Delay Time (Note 10)
Turn-Off Fall Time (Note 10)
C oss
C rss
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
303
178
16.4
31.6
4.3
6.2
3.5
4.9
44
28
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = -15V, V GS = 0V
f= 1MHz
V DS = -15V, V GS = -4.5V
I D = -7.1A
V DS = -15V, V GS = -10V
I D = -7.1A
V DD = -15V, V GS = -10V
I D = -1A, R G ? 6.0 Ω
Notes:
8. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
9. For design aid only, not subject to production testing.
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
DMC3028LSD
Document Revision: 4
7 of 11
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMC3032LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3035LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3035LSD-13 | 功能描述:MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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