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参数资料
| 型号： | DMC3028LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A，5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 472pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMC3028LSD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC3028LSD
Q2 P-Channel
10
10V
4.5V
3.5V
3V
10
T = 150°C
10V
3.5V
3V
2.5V
2.5V
1
2V
1
0.1
0.1
T = 25°C
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS
0.01
1.6
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS
10
V DS = 10V
T = 150°C
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 7.1A
R DS(on)
1
T = 25°C
1.0
0.8
0.1
0.6
0.4
V GS = V DS
I D = 250uA
V GS(th)
2
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
3
-50 0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
150
10
2.5V
T = 25°C
V GS
10
1
T = 150°C
1
3V
0.1
3.5V
0.1
T = 25°C
4V
10V
0.01
Vgs = 0V
DMC3028LSD
Document Revision: 4
0.01
0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
8 of 11
www.diodes.com
1.0
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMC3035LSD-13 | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC |
| DMC4028SSD-13 | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SOIC |
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| DMC4050SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
| DMG1012T-7 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC3028LSDX-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A |
| DMC3032LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3032LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3035LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3035LSD-13 | 功能描述:MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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