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参数资料
| 型号： | DMC4050SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1790.8pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC4050SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4050SSD
Thermal Characteristics
R DS(ON)
R DS(ON)
10 Limited
10
Limited
1
DC
1s
1
DC
1s
100m
10m
100ms
Single Pulse
T amb = 25°C
One active die
10ms
1ms
100us
100m
10m
100ms
Single Pulse
T amb = 25°C
One active die
10ms
1ms
100us
0.1
1
10
0.1
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
N-channel Safe Operating Area
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
2.0
100
R(theta junction-to-ambient), R θ JA
One active die
80
1.5
Two active die
60
D=0.5
1.0
One active die
40
20
0
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
0.5
0.0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
25
50
75
100
125
150
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Single Pulse
Temperature (°C)
Derating Curve
100
T amb = 25°C
One active die
10
1
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
DMC4050SSD
Document number: DS33310 Rev. 2 - 2
3 of 11
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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