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参数资料
| 型号： | DMC4050SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1790.8pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC4050SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4050SSD
0.06
0.04
V GS = 10V
0.05
0.03
0.04
0.03
V GS = 4.5V
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.02
0.01
V GS = 10V
0.01
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
1.3
V GS = 10V
I D = 20A
0.05
0.04
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.03
0.02
0.01
V GS = 4.5V
I D = 10A
V GS = 10V
I D = 20A
0.5
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
3.0
2.7
2.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
2.1
1.8
14
12
T A = 25°C
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
I D = 250μA
I D = 1mA
10
8
6
4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
DMC4050SSD
Document number: DS33310 Rev. 2 - 2
5 of 11
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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