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参数资料
| 型号： | DMC4050SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1790.8pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC4050SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4050SSD
10,000
10,000
C iss
1,000
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
C oss
100
100
C rss
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
5 10 15 20 25 30 35
40
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 22 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = -20V
I D = -12A
0
0
5
10 15 20 25 30 35
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 23 Gate-Charge Characteristics
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 94°C/W
D = 0.02
0.01 D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 24 Transient Thermal Response
DMC4050SSD
Document number: DS33310 Rev. 2 - 2
9 of 11
www.diodes.com
March 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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