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参数资料
| 型号： | DMG1012T-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1012T-7DIDKR |
DMG1012T
1.5
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
1.5
1.2
V GS = 3.0V
1.2
V DS = 5V
V GS = 2.5V
0.9
0.6
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
0.9
0.6
T A = 150°C
0.3
0.3
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
V GS = 1.2V
0
0
1 2 3 4
5
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.6
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.7
0.6
0.5
V GS = 4.5V
T A = 150°C
0.5
0.4
T A = 125°C
0.4
V GS = 1.8V
0.3
T A = 85°C
T A = 25°C
0.3
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.2
T A = -55°C
0.2
0.1
0
0.1
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
0
0.3
0.6 0.9 1.2 1.5
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
0.6
1.3
V GS = 2.5V
I D = 500mA
1.1
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
0.4
V GS = 2.5V
I D = 500mA
0.9
0.7
0.2
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
0.5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG1012T
Document number: DS31783 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMG1013T | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1013T-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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