- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG1012T-7 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG1012T-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1012T-7DIDKR |
DMG1012T
Package Outline Dimensions
A
SOT523
Dim Min Max Typ
A
0.15 0.30 0.22
B C
B
C
0.75 0.85 0.80
1.45 1.75 1.60
D
? ?
0.50
G
H
G
H
J
0.90 1.10 1.00
1.50 1.70 1.60
0.00 0.10 0.05
K
N
M
K
L
0.60 0.80 0.75
0.10 0.30 0.22
M
0.10 0.20 0.12
J
D
L
N
α
0.45 0.65 0.50
0° 8° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMG1012T
Document number: DS31783 Rev. 3 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
1.8
0.4
0.51
1.3
0.7
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1012UW-7 | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 |
| DMG1013T-7 | MOSFET P-CH SOT-523 |
| DMG1013UW-7 | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 |
| DMG1016UDW-7 | MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 |
| DMG1016V-7 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1012UW | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W ESD 20V 1A SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:290mW; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes |
| DMG1012UW-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1013T | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1013T-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1013UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。