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参数资料
| 型号： | DMG1013T-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SOT-523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.622nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 59.76pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1013T-7DIDKR |
DMG1013T
1.5
V GS = -8.0V
10
1.2
V GS = -4.5V
V GS = -3.0V
8
V DS = -5V
0.9
0.6
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
6
4
0.3
V GS = -1.2V
V GS = -1.5V
2
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
T A = -55°C
0
1
2 3 4
5
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
1.6
1.4
1.2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
1.0
0.8
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = -4.5V
T A = 150°C
1.0
0.8
0.6
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
0.6
0.4
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.4
V GS = -4.5V
0.2
0.2
0
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
0
0.3
0.6 0.9 1.2
1.5
1.7
1.5
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.2
1.0
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.3
1.1
0.9
V GS = -2.5V
I D = -500mA
V GS = -4.5V
I D = -1.0A
0.8
0.6
0.4
V GS = -2.5V
I D = -500mA
V GS = -4.5V
I D = -1.0A
0.7
0.5
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG1013T
Document number: DS31784 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1013UW-7 | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1013UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1013UW-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1016UDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1016UDW-7 | 功能描述:MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1016V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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