- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG1013T-7 (Diodes Inc)MOSFET P-CH SOT-523 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG1013T-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SOT-523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 460mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.622nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 59.76pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1013T-7DIDKR |
DMG1013T
1.6
1.2
10
8
6
0.8
I D = -250μA
I D = -1m A
4
T A = 25°C
0.4
2
0
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
f = 1MHz
C iss
0.2
6
5
0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
4
10
C oss
C rss
3
2
1
1
0
5 10 15
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 504°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG1013T
Document number: DS31784 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1013UW-7 | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 |
| DMG1016UDW-7 | MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 |
| DMG1016V-7 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
| DMG1023UV-7 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 |
| DMG1024UV-7 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1013UW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1013UW-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1016UDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1016UDW-7 | 功能描述:MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1016V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。