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参数资料
| 型号： | DMG2307L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 371.3pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 760mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG2307L-7DIDKR |
DMG2307L
2
1.6
8
6
1.2
4
0.8
2
0.4
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1000
f = 1MHz
C ISS
10000
1000
T A =150°C
T A =125°C
T A =85°C
100
100
C OSS
10
T A =25°C
C RSS
1
10
0
5
10
15
20
25
30
0.1
0
5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
100
R DS(ON)
Limited
-I D (A) @P W =1ms
-I
P
8
6
10
1
-I D (A) @ DC
D
(A
)
@
W =
10
0μ
s
-I D (A) @
P W =10μs
-I D W =10s
4
(A) @P
-I D (A) @P W =1s
-I D W =100ms
2
0.1
(A) @P
0
0
2 4 6 8
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
10
T J(MAX) = 150 ? C -I D (A) @P W =10ms
T A = 25 ? C
Single Pulse
0.01
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
100
DMG2307L
Document number: DS35414 Rev. 3 – 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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