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参数资料
| 型号： | DMG2307L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 371.3pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 760mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG2307L-7DIDKR |
DMG2307L
1
0.1
0.01
r(t) @ D=0.5
r(t) @ D=0.3
r(t) @ D=0.1
r(t) @ D=0.05
r(t) @ D=0.02
r(t) @ D=0.01
r(t) @ D=0.005
r(t) @ D=0.7
r(t) @ D=0.9
R ? JA (t)=r(t) * R ? JA
0.001
r(t) @ D=Single Pulse
R ? JA =54°C/W
Duty Cycle, D=t1/ t2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
K 1
K
J
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
SOT23
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
B
1.20 1.40 1.30
a
C
2.30 2.50 2.40
A
M
D
0.89 1.03 0.915
L
L 1
F
G
H
J
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
K
K1
L
L1
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
F
G
D
M 0.085 0.150 0.110
?? 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
Z
DMG2307L
Document number: DS35414 Rev. 3 – 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMG263020R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DMG264010R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DMG264020R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DMG264040R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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