型号: | DMG4468LFG |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 7.62A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 15 毫欧 @ 11.6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 18.85nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 867pF @ 10V |
功率 - 最大: | 990mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-UDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装: | 8-DFN3030 EP(3x3) |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | DMG4468LFGDIDKR |