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参数资料
| 型号： | DMG4468LFG |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 867pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 990mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3030 EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4468LFGDIDKR |
DMG4468LFG
10,000
1,000
100
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
100
T A = 85°C
10
T A = 125°C
T A = 150°C
10
T A = 85°C
T A = -55°C
T A = 25°C
1
0
T A = 25°C
5 10 15 20 25 30
1
1
2 3 4 5 6 7 8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1,000
100
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.10 Gate-Source Leakge Current vs Voltage
10
T A = 125°C
T A = 150°C
1
T A = 85°C
T A = -55°C T A = 25°C
1
2 3 4 5 6 7 8
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.11 Gate-Source Leakge Current vs Voltage
1
D = 0. 7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 83°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
DMG4468LFG
Document number: DS31857 Rev. 2 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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