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参数资料
| 型号： | DMG4468LFG |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 11.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 867pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 990mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3030 EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4468LFGDIDKR |
DMG4468LFG
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMG4468LFG-7
Case
DFN3030-8
Packaging
3000 / Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
DFN3030-8
N45 = Product Type Marking Code
YYWW = Date Code Marking
YY = Last digit of year, ex: 09 for 2009
WW = Week code 01 to 52
N45
Package Outline Dimensions
A
A1
A3 SEATING PLANE
DFN3030-8
Dim Min Max Typ
A 0.57 0.63 0.60
e
b
R0
.2
00
A1
A3
b
0 0.05 0.02
? ? 0.15
0.29 0.39 0.34
D
D2
2.90 3.10 3.00
2.19 2.39 2.29
E
E2
e
? ?
0.65
E
E2
2.90 3.10 3.00
1.64 1.84 1.74
L
L
0.30 0.60 0.45
Suggested Pad Layout
D2
D
Z
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
Z
G
X1
2.59
0.11
2.49
X2
Y
DMG4468LFG
Document number: DS31857 Rev. 2 - 2
C
X 1
G
5 of 6
www.diodes.com
X2
Y
C
0.65
0.39
0.65
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4468LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4468LFG-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4468LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4496SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4496SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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