- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG4822SSD-13 (Diodes Inc)MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG4822SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 478.9pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG4822SSD-13DIDKR |
DMG4822SSD
30
20
V DS = 5.0V
25
15
20
Ave V GS (V) @ 150°C
15
10
5
10
5
Ave V GS (V) @ 125°C
Ave V GS (V) @ 85°C
Ave V GS (V) @ 25°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
0
0.5
Ave V GS (V) @ 55°C
1 1.5 2 2.5 3 3.5
4
0.05
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristic
R DS(ON) ( ? ) Ave @ V GS =3.5V
0.04
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig.2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 10V
0.04
0.03
0.02
R DS(ON) ( ? ) Ave @ V GS =4.5V
0.03
0.02
Ave R DS(ON) ( ? ) @ 150°C
Ave R DS(ON) (?) @ 125°C
Ave R DS(ON) ( ? ) @ 85°C
Ave R DS(ON) ( ? ) @ 25°C
0.01
R DS(ON) ( ? ) Ave @ V GS =10V
0.01
Ave R DS(ON) ( ? ) @ -55°C
0
0
5
10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
5
10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
30
@ V GS D =10A
1.7
1.5
R DS(ON) ( ? )
=10V, I
0.06
0.05
@ V GS D =5A
1.3
0.04
R DS(ON) ( ? )
=4.5V, I
1.1
0.9
R DS(ON) ( ? )
@ V GS =4.5V, I D =5A
0.03
0.02
0.7
0.01
R DS(ON) ( ? )
@ V GS =10V, I D =10A
0.5
- 50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
- 50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG4822SSD
Document number: DS35403 Rev. 2 - 2
3 of 7
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4932LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
| DMG5802LFX-7 | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
| DMG6602SVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
| DMG6898LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 |
| DMG6968U-7 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4932LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4932LSD-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG-4A-750 | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXERS |
| DMG-4B-1700 | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXERS |
| DMG4N65CT | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 501V-650V TO220-3 TUBE 50PCS - Trays 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 650V 4A TO-220 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。