参数资料
型号: DMG4822SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 8.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 478.9pF @ 16V
功率 - 最大: 1.42W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: DMG4822SSD-13DIDKR
DMG4822SSD
DMG4822SSD
Document number: DS35403 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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