参数资料
型号: DMG4822SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 8.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 478.9pF @ 16V
功率 - 最大: 1.42W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: DMG4822SSD-13DIDKR
DMG4822SSD
2
1.8
1.6
1.4
20
18
16
14
12
1.2
Vth (V) @ I D =250μA
Vth (V) @ I D =1mA
10
8
V SD A =25°C
1
0.8
6
4
2
(V)@T
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10000
1000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig.8 Diode Forward Voltage vs. Current
Ciss Ave(pF)
I DSS (nA) Ave @ 150°C
1000
I DSS (nA) Ave @ 125°C
Coss Ave(pF)
100
100
Crss Ave(pF)
I DSS (nA) Ave @ 85°C
10
I DSS (nA) Ave @ 25°C
f=1MHz
1
0 5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
0
4 8 12 16
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
20
V DS D =10A
10
=15V, I
8
6
4
2
0
0
2
4
6 8
10
12
Q G - (nC)
Fig. 11 Gate Charge
DMG4822SSD
Document number: DS35403 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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