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参数资料
| 型号： | DMG4932LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4932LSD-13DIDKR |
DMG4932LSD
0.020
0.04
V GS = 4.5V
0.015
0.010
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.03
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.005
0.01
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.6
1.4
1.2
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
0.03
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.0
0.01
V GS = 10V
I D = 10A
0.8
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
3.0
2.5
2.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
I D = 100mA
30
25
20
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.5
1.0
0.5
0
15
10
5
0
T A = 25°C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
DMG4932LSD
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2
3 of 9
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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