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参数资料
| 型号： | DMG4932LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4932LSD-13DIDKR |
DMG4932LSD
Ordering Information (Note 8)
Part Number
DMG4932LSD-13
Case
SO-8
Packaging
2500 / Tape & Reel
Notes:
8. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
(Top View)
8
5
Logo
G4932LD
Part no.
YY WW
Xth week: 01 ~ 53
Year: “10” = 2010
1
4
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
0.10
0.20
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
1.30
0.15
1.50
0.25
b
0.3
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
h
7 °~ 9 °
E1
3.85
3.95
45 °
e
1.27 Typ
A2 A A3
Detail ‘A’
h
L
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMG4932LSD
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2
C2
C1
8 of 9
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
August 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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