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参数资料
| 型号： | DMG4932LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4932LSD-13DIDKR |
DMG4932LSD
100,000
10,000
T A = 100°C
10
8
1,000
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
6
4
2
V DS = 15V
I D = 9A
1
0
10
20
30
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
10,000
1,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
f = 1MHz
C iss
C oss
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
100
10
C rss
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Total Capacitance
30
DMG4932LSD
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2
4 of 9
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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