- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG4932LSD-13 (Diodes Inc)MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG4932LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.19W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4932LSD-13DIDKR |
DMG4932LSD
100,000
10
8
10,000
T A = 150°C
6
V DS = 15V
I D = 9A
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
4
2
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
0
0
5 10 15
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
20
10,000
Fig. 20 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
Fig. 21 Gate-Charge Characteristics
1,000
C iss
C oss
f = 1MHz
9
8
7
6
5
4
Single Pulse
R θ JA = 113°C/W
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA (t)
2. T J D = 1.12W(DC)
100
C rss
3
2
1
1. DUT Mounted on 1 x MRP FR-4 Board
= 150°C, P
10
0
5 10 15 20 25
30
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 22 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 23 Single Pulse Maximum Power Dissipation
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 113°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 24 Transient Thermal Response
DMG4932LSD
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2
7 of 9
www.diodes.com
August 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG5802LFX-7 | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
| DMG6602SVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
| DMG6898LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 |
| DMG6968U-7 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 |
| DMG6968UDM-7 | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG-4A-750 | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXERS |
| DMG-4B-1700 | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXERS |
| DMG4N65CT | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 501V-650V TO220-3 TUBE 50PCS - Trays 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 650V 4A TO-220 |
| DMG4N65CTI | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH 650V 4A ITO-220AB 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N-CH MOSFET 650V 4A |
| DMG504010R | 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。