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参数资料
| 型号： | DMG6602SVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG6602SVT-7DIDKR |
DMG6602SVT
Electrical Characteristics – Q1 NMOS @ T A = 25°C unless otherwise stated
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
-
-
-
-
-
-
1.0
±100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 24V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
1.0
-
-
-
-
38
55
4
0.8
2.3
60
100
-
1
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 3.1A
V GS = 4.5V, I D = 2A
V DS = 5V, I D = 3.1A
V GS = 0V, I S = 1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 7)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (V GS = 4.5V)
Total Gate Charge (V GS = 10V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
290
40
40
1.4
4
9
1.2
1.5
3
5
13
3
400
80
80
-
6
13
-
-
-
-
-
-
pF
?
nC
ns
V DS = 15V, V GS = 0V,
f = 1.2MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V DS = 15V, V GS = 4.5V, I D = 3.1A
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 3A
V GS = 10V, V DS = 15V,
R G = 3 ? , R L = 4.7 ?
Notes:
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
7. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
10
8
6
4
2
V DS = 5.0V
0.0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
1
2
3
4
5
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
3 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| DMG6898LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6898LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968LSD-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968U-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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