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参数资料
| 型号： | DMG6602SVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG6602SVT-7DIDKR |
DMG6602SVT
1
0.16
V GS = 4.5V
0.12
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 125°C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 150°C
0.1
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =4.5V
R DS(ON) ( Ω ) Ave @ V G =10V
0.08
0.04
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 85°C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ 25°C
Ave R DS(ON) ( Ω ) @ -55°C
0.01
0
4 8 12 16
20
0
0
2 4 6 8
10
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
2.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
-50
10
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.6
1.2
I D = 250 μ A
I D = 1mA
8
6
V SD (V) @ V DS =0V T A = 25 ° C
4
0.8
0.4
2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
4 of 10
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG6898LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6898LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968LSD-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968U-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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