参数资料
型号: DMG6602SVT-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.4A,2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 15V
功率 - 最大: 1.12W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSOT-23-6
包装: 标准包装
其它名称: DMG6602SVT-7DIDKR
DMG6602SVT
1000
f = 1MHz
10
C OSS Ave (pF)
C ISS Ave (pF)
8
6
V DS = 10V
I D = 3.0A
100
4
C RSS Ave (pF)
2
10
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2 4 6 8
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate Charge
10
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = 10V
Single Pulse
P W = 10ms
P W = 1ms
DUT on 1 * MRP Board
0.01
0.1 1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
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www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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