参数资料
型号: DMG6602SVT-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.4A,2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 15V
功率 - 最大: 1.12W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSOT-23-6
包装: 标准包装
其它名称: DMG6602SVT-7DIDKR
DMG6602SVT
Package Outline Dimensions
D
TSOT26
Dim Min  Max Typ
e1
A
?
1.00
?
A1
A2
0.01 0.10
0.84 0.90
?
?
D
?
?
2.90
E1
E
E
?
?
2.80
c
L2
E1
b
? ?
0.30 0.45
1.60
?
e
6x b
4x θ 1
L
θ
c
e
e1
L
0.12 0.20
? ?
? ?
0.30 0.50
?
0.95
1.90
A
A2
L2
θ
? ? 0.25
0° 8° 4°
A1
Suggested Pad Layout
C
C
θ 1 4° 12° ?
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
Y1
DMG6602SVT
Document number: DS35106 Rev. 6 - 2
Y (6x)
X (6x)
C
X
Y
Y1
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www.diodes.com
0.950
0.700
1.000
3.199
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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