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参数资料
| 型号： | DMN2005K-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 100µA |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN2005K
Maximum Ratings
@T A = 25°C unless otherwise specified
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
20
? 10
Unit
V
V
Drain Current per element (Note 5)
Continuous
Pulsed (Note 6)
I D
300
600
mA
Thermal Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T j , T STG
Value
350
357
-65 to +150
Unit
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
?
10
? 5
V
μA
μA
V GS = 0V, I D = 100μA
V DS = 17V, V GS = 0V
V GS = ? 8V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
V GS(th)
R DS (ON)
? Y fs ?
0.53 ?
??
?
40
?
0.55
0. ?
?
0.9
3.5
1.7
?
V
?
mS
V DS = V GS , I D = 100μA
V GS = 1.8V, I D = 200mA
V GS = 2.7V, I D = 200mA
V DS = 3V, I D = 10mA
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB.
6. Pulse width ? 10 μ S, Duty Cycle ? 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMN2005K
Document number: DS30734 Rev. 7 - 2
2 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2005LP4K-7 | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMN2005LPK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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