参数资料
型号: DMN2005K-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
产品变化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 欧姆 @ 200mA,2.7V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 100µA
功率 - 最大: 350mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
DMN2005K
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
SOT23
Dim Min Max Typ
K 1
K
J
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
C
2.30 2.50 2.40
A
M
L
a
L 1
D
F
G
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
H
J
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
D
K
K1
L
L1
M
a ?
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
0.085 0.150  0.110
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z 2.9
Z
DMN2005K
Document number: DS30734 Rev. 7 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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