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参数资料
| 型号： | DMN2005K-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 100µA |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN2005K
1.2
1.0
1.6
1.2
T A = 25°C
0.8
I D = 1mA
0.6
I D = 250μA
0.8
0.4
0.4
0.2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
60
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
50
40
30
20
C iss
f = 1MHz
10
C oss
0
0
C rss
5 10 15
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
DMN2005K
Document number: DS30734 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2005LP4K-7 | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
| DMN2005LPK-7 | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN |
| DMN2009LSS-13 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| DMN2013UFDE-7 | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6 |
| DMN2015UFDE-7 | MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6E |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2005LP4K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005LP4K_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005LP4K-7 | 功能描述:MOSFET 30V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2005LP4K-7-01 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL SOT-363 GREEN 3K - Tape and Reel |
| DMN2005LPK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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