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参数资料
| 型号： | DMN2016LFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1472pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-UDFN3030 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2016LFG-7DIDKR |
DMN2016LFG
50
45
40
V DS = 5.0V
35
30
25
20
T A = 150°C
15
10
5
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristic
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
0.04
0.03
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig.2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 4.5V
T A = 150°C
V GS = 4.5V
0.02
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
10 20 30 40
50
0
0
5
10 15 20 25
30
1.8
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.03
I D , DRAIN CURRENT
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 5A
0.02
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.2
V GS = 8 V
V GS = 8 V
I D = 10A
1.0
0.8
I D = 10A
0.01
0.6
50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
- 50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN2016LFG
Document number: DS32053 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN2020LSN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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