参数资料
型号: DMN2016LFG-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1472pF @ 10V
功率 - 最大: 770mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-UDFN3030
包装: 标准包装
其它名称: DMN2016LFG-7DIDKR
DMN2016LFG
Package Outline Dimensions
A
A3 SEATING PLANE
U-DFN3030-8
A1
Dim
Min
Max Typ
e
b
A
A1
0.57  0.63 0.60
0 0.05 0.02
E
E2
R0
.2
00
A3
b
D
D2
e
? ? 0.15
0.29  0.39 0.34
2.90
3.10 3.00
2.19 2.39 2.29
? ? 0.65
E
2.90 3.10 3.00
L
E2
L
1.64 1.84 1.74
0.30 0.60 0.45
D2
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Z
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.59
0.11
X2
DMN2016LFG
Document number: DS32053 Rev. 3 - 2
Y
C
X 1
G
5 of 6
www.diodes.com
X1
X2
Y
C
2.49
0.65
0.39
0.65
January 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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