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参数资料
| 型号： | DMN2016UTS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1495pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2016UTS-13DIDKR |
DMN2016UTS
0.06
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.03
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS = 1.8V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.02
0.01
T A = 125°C
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0
5 10 15 20 25
30
0
5
10 15 20 25 30
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.03
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
1.0
0.8
V GS = 8.0V
I D = 10A
0.01
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 8.0V
I D = 10A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.0
1.6
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
T A = 25°C
0.8
0.4
0
I D = 250μA
I D = 1mA
8
4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2016UTS
Document number: DS31995 Rev. 1 - 2
3 of 6
www.diodes.com
December 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2019UTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| DMN2020LSN-7 | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 |
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| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2019UTS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2020LSN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2020LSN-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2023LSD-13 | 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2027LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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