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参数资料
| 型号： | DMN2040LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 562pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2040LSDDIDKR |
DMN2040LSD
24
20
20
V GS = 10V
V GS = 4.5V
16
V DS = 5V
V GS = 3.0V
16
12
8
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
12
8
T A = 150°C
T A = 125°C
4
4
T A = 85°C
T A = 25°C
0
V GS = 1.5V
0
T A = -55°C
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
1
1.5 2 2.5
3
0.05
0.04
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.05
0.04
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.03
V GS = 2.5V
0.03
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.02
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.02
T A = 25°C
0.01
0
0.01
0
T A = -55°C
0
6
12 18 24
30
0
5
10 15 20 25 30
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
900
800
f = 1MHz
V GS = 0V
1.4
V GS = 4.5V
I D = 5A
700
600
1.2
V GS = 10V
I D = 10A
500
C iss
400
1.0
0.8
300
200
100
C oss
0.6
0
C rss
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4 8 12 16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
DMN2040LSD
Document number: DS31517 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| DMN2050L-7 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
| DMN2065UW-7 | MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2040LTS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2040LTS-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041L-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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