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参数资料
| 型号： | DMN2040LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 562pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2040LSDDIDKR |
DMN2040LSD
1.2
1.0
30
25
0.8
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
20
15
0.4
0.2
0
10
5
0
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
0.01
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 120°C/W
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
D = Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
DMN2040LSD-13
Case
SOP-8L
Packaging
2500/Tape & Reel
Notes:
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
( Top View )
8
5
Logo
N2040LD
Part no.
YY WW
Xth week: 01~52
Year : "07" = 2007
DMN2040LSD
Document number: DS31517 Rev. 4 - 2
1
4
3 of 4
www.diodes.com
"08" = 2008
November 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2040LTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
| DMN2041L-7 | MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 |
| DMN2041LSD-13 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8 |
| DMN2050L-7 | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2040LTS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2040LTS-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2041L-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2041LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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