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参数资料
| 型号： | DMN2170U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 End Of Life 16/Aug/2010 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 217pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2170UDIDKR |
DMN2170U
10
8
6
4
2
0
0.5
1,000
f = 1MHz
0.4
0.3
V GS = 1.5V
C iss
100
0.2
C oss
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
C rss
0
0
1
2 3 4 5 6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
Fig. 3 On-Resistance vs.
7
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
20
Drain-Source Current & Gate Voltage
1
1.8
0.8
I D = 250μA
1.6
V GS = 2.5V
I D = 2.3A
0.6
1.4
V GS = 4.5V
I D = 3A
1.2
V GS = 1.5V
0.4
0.2
0
1.0
0.8
0.6
I D = 0.5A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-55
25 85 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation with Ambient Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMN2170U
Document number: DS31182 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
June 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN21D2UFB-7B | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN2215UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2215UDM-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2230U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2230U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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