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参数资料
| 型号： | DMN2170U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 End Of Life 16/Aug/2010 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 217pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2170UDIDKR |
DMN2170U
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMN2170U-7
Case
SOT-23
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
21N = Marking Code
21N
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: U = 2007
M = Month ex: 9 = September
Date Code Key (If Applicable)
Year
Code
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Package Outline Dimensions
A
SOT-23
Dim
A
Min
0.37
Max
0.51
K
TOP VIEW
G
H
B C
M
B
C
D
F
G
H
J
K
L
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
J
D
F
L
M
α
0.085
0°
0.180
8°
All Dimensions in mm
DMN2170U
Document number: DS31182 Rev. 4 - 2
3 of 4
www.diodes.com
June 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN21D2UFB-7B | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
| DMN2215UDM-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN21D2UFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2215UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2215UDM-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2230U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2230U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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