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参数资料
| 型号： | DMN2300UFB4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 64.3pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2300UFB4-7BDIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2300UFB4
8
6
4
2
0
V DS = 15V
I D = 1A
0
0.5 1 1.5 2 2.5
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 14 Gate-Charge Characteristics
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
3
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 262°C/W
0.01 D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Figure 15 Transient Thermal Response
DMN2300UFB4
Document number: DS35269 Rev. 4 - 2
5 of 7
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2300UFD-7 | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN |
| DMN2400UFB-7 | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 |
| DMN2400UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 |
| DMN2400UV-7 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2300UFB-7 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2300UFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2300UFD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2300UFD-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2300UFL4-7 | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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