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参数资料
| 型号： | DMN2300UFD-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 900mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 67.62pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UDFN |
| 供应商设备封装： | X1-DFN1212-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2300UFD-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2300UFD
8
6
4
2
0
V DS = 15V
I D = 1A
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 16 Gate-Charge Characteristics
Package Outline Dimensions
A
A3
X1-DFN1212-3
Dim Min Max Typ
E
D
e
b1
(2x)
A1
A
A1
A3
b
b1
D
E
e
L
0.47 0.53 0.50
0 0.05 0.02
- - 0.13
0.27 0.37 0.32
0.17 0.27 0.22
1.15 1.25 1.20
1.15 1.25 1.20
- - 0.80
0.25 0.35 0.30
All Dimensions in mm
L
b
Suggested Pad Layout
X
Y
Dimensions
C
Value (in mm)
0.80
Y2
Y1
(2x)
X1
(2x)
X
X1
Y
Y1
Y2
0.42
0.32
0.50
0.50
1.50
C
DMN2300UFD
Datasheet Number: DS35443 Rev. 2 - 2
6 of 7
www.diodes.com
September 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2400UFB-7 | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 |
| DMN2400UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 |
| DMN2400UV-7 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
| DMN26D0UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2300UFL4-7 | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2400UFB4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2400UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2400UFB4-7B | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R |
| DMN2400UFB-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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