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参数资料
| 型号： | DMN26D0UFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN26D0UFB4-7DIDKR |
DMN26D0UFB4
0.8
0.4
0.7
0.6
V GS = 8V
V GS = 4.5V
0.3
V DS = 10V
T A = -55°C
0.5
V GS = 3.0V
T A = 25°C
T A = 85°C
T A = 125°C
0.4
V GS = 2.5V
0.2
T A = 150°C
0.3
0.2
0.1
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
0.1
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
5
4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
4
3
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
T A = 150°C
3
V GS = 1.8V
2
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
2
V GS = 2.5V
1
T A = -55°C
V GS = 4.5V
1
0
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
2.0
1.8
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
4.0
3.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 4.5V
I D = 500mA
V GS = 2.5V
I D = 150mA
3.0
2.5
2.0
1.5
V GS = 2.5V
I D = 150mA
V GS = 4.5V
0.6
1.0
I D = 500mA
0.4
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN26D0UFB4
Document number: DS31775 Rev. 7 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| DMN2990UDJ | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W ESD 20V SOT963 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 20V, SOT963 |
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