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参数资料
| 型号： | DMN26D0UFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN26D0UFB4-7DIDKR |
DMN26D0UFB4
Package Outline Dimensions
A
X2-DFN1006-3
Dim
Min
Max Typ
A1
A
?
0.40
?
D
b1
A1
b1
b2
D
E
0
0.10
0.45
0.95
0.55
0.05 0.02
0.20 0.15
0.55 0.50
1.05 1.00
0.65 0.60
E
b2
e
e
L1
?
0.20
? 0.35
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
X 1
Dimensions
Z
G1
Value (in mm)
1.1
0.3
X
G2
G2
X
X1
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMN26D0UFB4
Document number: DS31775 Rev. 7 - 2
5 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN26D0UT-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 |
| DMN2990UDJ-7 | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 |
| DMN2990UFA-7B | MOSFET N CH 20V 510MA |
| DMN3005LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| DMN3007LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN26D0UFB4-7B | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN26D0UT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN26D0UT-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN26DOUT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-CHANNEL SOT-523 GREEN 3K |
| DMN2990UDJ | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W ESD 20V SOT963 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 20V, SOT963 |
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