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参数资料
| 型号： | DMN26D0UFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN26D0UFB4-7DIDKR |
DMN26D0UFB4
1.4
1.2
0.8
0.7
0.6
1.0
0.5
T A = 25°C
0.8
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
0.4
0.3
0.4
0.2
0
0.2
0.1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
1,000
15
T A = 150°C
10
5
C iss
C oss
100
10
1
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
C rss
0.1
T A = -55°C
0
4 8 12 16
20
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 278°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMN26D0UFB4
Document number: DS31775 Rev. 7 - 2
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www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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