参数资料
型号: DMN32D2LV-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563
产品变化通告: Bond Wire Change 11/Nov/2011
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 400mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 欧姆 @ 100mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 39pF @ 3V
功率 - 最大: 400mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-563
包装: 标准包装
其它名称: DMN32D2LV-7DIDKR
DMN32D2LV
DMN32D2LV
Document number: DS31121 Rev. 7 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
PDF描述
DMN3300U-7 MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
DMN3404L-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
DMN3730U-7 MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
DMN3730UFB-7 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
DMN3730UFB4-7 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
相关代理商/技术参数
参数描述
DMN3300U 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 2A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:600mW ;RoHS Compliant: Yes
DMN3300U-7 功能描述:MOSFET 600mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3300U-7-F 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification
DMN3404L 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
DMN3404L-7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube